103岁爷爷回应身体依旧健康硬朗
罗姆完成第 5 代碳化硅（SiC）MOSFET 开发，高温导通电阻降低约 30%_蜘蛛资讯网
bsp; 【编辑:张子怡】
的开发工作。相较上代，新产品通过器件结构改进和制造工艺优化在 175℃ 结温 (Tj) 下导通电阻降低约 30%。罗姆表示，在各类电动汽车 (xEV) 用牵引逆变器等需要在高温环境下使用的应用中，其第 5 代 SiC MOSFET 有助于缩小单元体积，提高输出功率。此外芯片也非常适用于 AI 服务器电源和数据中心等工业设备的电源。罗姆计划从 2026 年 7 月起开始提供配有第 5 代 SiC M
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发布时间：22:15:28
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